以案浅析对比文件的附图公开内容认定

一、前言

在评述发明或实用新型专利申请的权利要求的新颖性或创造性时，审查意见可能采用对比文件的附图评述权利要求的技术特征，因此，如何认定附图的公开内容对答复此类审查意见至关重要，本文将通过一个案例对此进行分析。

关于对比文件的附图公开内容的认定，《专利审查指南》第二部分第三章第2.3节规定：审查员在引用附图时必须注意，只有能够从附图中直接地、毫无疑义地确定的技术特征才属于公开的内容，由附图中推测的内容，或者无文字说明、仅仅是从附图中测量得出的尺寸及其关系，不应当作为已公开的内容。

二、案例简介

本案的权利要求1涉及将多个组件从第一基板向第二基板转移的方法，该方法包括通过激光照射使多个组件附着至所述第一基板的释放层，以烧蚀所述释放层的至少一部分，从而使多个组件中的至少一些组件同时从所述第一基板释放。由此，实现组件的快速转移。

审查员引用的对比文件1公开了一种利用激光转移物体的方法，该方法借助动力释放层将转移物体附着至转移基底，然后烧蚀该动力释放层以使该物体转移至接受基底。审查员认为，对比文件1的图5（下图）中“激光转移至接受基底上的硅芯片”有多个，从而公开了本案权利要求1中的“使至少一些组件同时从所述第一基板释放”。

为进一步佐证其观点，审查员还指出，对比文件1通过释放激光能量以释放气泡来转移硅芯片，其不仅公开了使用单个气泡来进行转移硅芯片，还公开了形成二维气泡阵列即多个气泡以优化激光转移，因此，结合图5的内容，可毫无疑义地确定对比文件1公开了通过同时释放多个气泡以同时转移多个硅芯片。

对于上述审查意见，笔者分析了对比文件1的整体技术方案，认为“同时释放多个气泡以同时转移多个硅芯片”并非从对比文件的图5能够直接地、毫无疑义地确定的内容。

首先，对比文件1意识到利用烧蚀技术转移物体的非接触转移方法限制了转移物体的贴装安全性和精确度，为此，其要解决的技术问题在于提供一种能够克服现有应用中固有的定位不精确的非接触转移的激光转移方法。

为解决上述技术问题，对比文件1采用激光照射使多个硅芯片附着至转移基底的释放层以释放气泡，通过气泡的膨胀并结合其它控制来精确地将硅芯片转移至接受基底，其中，可以通过释放激光以生成单个气泡，或者形成多个气泡来进行转移。

其次，对比文件1的说明书公开了“加入了衍射分光镜，以通过使用单脉冲激光来产生由单独的气泡形成的图案。可定制衍射光学元件以将单光束分为多光束，从而形成二维气泡阵列以优化激光转移”，即，如审查员所述，对比文件1公开了二维气泡阵列。然而，对比文件1没有具体说明该二维气泡阵列适用于释放一个还是多个硅芯片，而根据其图5示出的多个被转移的硅芯片并不能毫无疑义地确定该多个硅芯片被同时释放。实际上，图5的目的是示出转移工艺的结果，且其文字说明并未提及已转移的多个硅芯片是被同时释放的，因此，本领域技术人员无法排除该多个硅芯片被分别单独释放的可能性。

同时，对比文件1的说明书公开了“通过单脉冲激光形成了尺寸小于待转移物体且形状对应于待转移物体的单个气泡”、“根据待转移物体的大小，可以加入多个同心气泡”，可见，对比文件1是根据待转移物体的大小和形状来调整气泡的大小、形状和数量。另外，对比文件1还公开了根据待转移物体的大小来调整气泡的生成时，然而其也是以单个物体的大小为例进行说明，而未考虑同时转移多个物体的情形。

考虑对比文件1所要解决的技术问题并结合上下文记载，对比文件1将单个的气泡改变为二维气泡阵列是为了适应单个硅芯片的大小或形状，而非用于转移多个硅芯片。此外，对比文件1未考虑硅芯片的快速转移，本领域技术人员根据其公开内容无法得出同时转移多个硅芯片的必要性。因此，本领域技术人员无法直接地、毫无疑义地确定该二维气泡阵列用于同时转移多个硅芯片。

因此，无论是从对比文件1的图5及其文字说明来理解对比文件1，还是进一步结合对比文件1其余部分的内容整体理解对比文件1，本领域技术人员均无法直接地、毫无疑义地确定图5公开了同时释放多个硅芯片的内容。

在答复审查意见时，笔者根据以上分析，针对审查意见中有关图5公开内容的认定进行了反驳。审查员接受了我们的争辩理由，本案最终得以授权。

三、总结

在认定附图公开内容时，应当站位本领域技术人员，基于对比文件的整体记载对附图的公开内容作出客观准确的判断。从以上案例可以看出，我们可以从多个角度进行分析，例如，分析对比文件要解决的技术问题、附图本身所客观展现的信息、与附图相对应的文字说明、其他相关附图以及说明书的整体记载等，从而得出更准确的判断。